고전력 시스템 소스미터 SMU계측기
고전압 모델 2657A 고전력 시스템 소스미터 계측기는 다이오드, FETs, 그리고 IGBT 등과 같은 물질 뿐만 아니라 질화갈륨(gallium nitride), 탄화수소(silicon carbide), 그리고 다른 반도체 합성물질이나 디바이스 등과 같이 더 새로운 물질을 포함하여 반도체 디바이스 파워 테스팅과 같은 어플리케이션에 사용할 수 있습니다.
제품 주요 특징
- 동급 최고의 저전류 분해능에서 최대 3kV 또는 50A 펄스 소싱 및 측정
- 계측기당 최대 2000W 펄스 또는 200W DC 출력
- 고출력 반도체, 전자장치 및 소재의 특성화 및 테스트에 최적화
- TSP 및 TSP-Link 기술을 통해 메인프레임 기반 시스템의 채널 한계없이 SMU 핀 단위 패러럴(per-pin-parallel) 테스트 가능
- 듀얼 디지타이징 A/D 컨버터가 최대 1 µs/point로 샘플링하여 전류 및 전압 파형을 동시에 특성화
모델별 주요 스펙 비교
모델 |
출력특성 |
4분원 소스 또는
싱크 기능 |
분해능 |
적용분야 |
2651A |
최대 50A(또는 2개 장치에서 100A) 및 최대 2000W
펄스/200W DC 출력 |
최대 ±40V 및 ±50A |
100fA/1µs 분해능 |
고전류, 고출력 디바이스 테스트 |
2657A |
최대 3000V 및 최대 180W 출력 |
20mA에서 최대 3000V
또는 120mA에서 1500V |
1fA/100µV 분해능 |
고전압, 고출력, 저전류
디바이스 테스트 |
어플리케이션 분야
- Power semiconductor device characterization and testing
- Characterization of GaN, SiC, and other compound materials and devices
- Breakdown and leakage testing to 3kV
- Characterization of sub-millisecond transients
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